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Darstellung und Simulation von AlN/GaN-Übergitterstrukturen für elektronische Bauelemente

Pufferschichten haben bei elektronischen Bauelementen eine spannungsreduzierende und eine isolierende Eigenschaft. In der vorliegenden Dissertation wurden Übergitter, bestehend aus kurzperiodischen AlN und GaN Schichten, als Pufferschichten realisiert. Hergestellt, charakterisiert und simuliert wurden zwei unterschiedliche Variationen in der Periode des Übergitters. Die Simulation erfolgte anhand von Kapazitäts-Spannungs-Messungen.